標題：聯電 大陸福州市中級人民法院對美光半導體（西安）有限責任
公司與美光半導體銷售（上海）有限公司侵害本公司專利權作
出民事裁定
日期：2018-07-03
股票代號：2303
發言時間：2018-07-03 21:10:35
說明：
1.事實發生日:107/07/03
2.公司名稱:聯華電子股份有限公司
3.與公司關係(請輸入本公司或子公司):本公司
4.相互持股比例:不適用
5.發生緣由:
本公司收受福州市中級人民法院於2018年7月3日，就關於美光半導體（西安）有限
責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司等先行停止侵犯涉案專利權（專利號：
ZL03100966.2）作出(2018)閩01民初137號之二《民事裁定書》（以下簡稱裁定書），
主要內容包括，美光半導體（西安）有限責任公司立即停止製造、銷售、進口鉑勝
運動Ballistix 鉑勝台式內存DDR4 2400 8G兩條裝(實物商品型號：Crucial 英睿
達內存條BALLISTIX 16GB KIT 2-8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX晶片等12項產品；
美光半導體銷售（上海）有限公司立即停止銷售、進口Crucial 英睿達 DDR4 2400
8G 筆記本內存條及C9BGM 晶片等17項產品；廈門市思明區信通源電腦經營部立即
停止銷售、許諾銷售Crucial 英睿達DDR4-2400 8G筆記本內存條及C9BGM 晶片。
6.因應措施:本公司已委請律師處理，以捍衛本公司及股東權益。
7.其他應敘明事項:
(1)本公司因發現有美光公司在大陸地區銷售之產品，確實侵害本公司於大陸地區
獲准之專利權，於是在大陸地區進行專利侵權訴訟，並依大陸專利法之規定申
請先行停止侵犯涉案專利權。
(2)依大陸地區法律，申請先行停止侵犯涉案專利權，須符合以下幾個標準：一是
申請人有穩定、有效的專利權，二是被申請人的行為經初步判斷可以認定為侵
權行為，三是侵權行為如不即時制止，將會造成申請人難以彌補的損害。本公
司此次申請先行停止侵犯涉案專利權，既經獲准，可見美光半導體（西安）有
限責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司等之侵權行為，大陸地區法院
已初步判斷認定屬實。
(3)本公司長期投入大量資源及人力，研發半導體製造技術，其成果可用於邏輯晶
片或記憶體晶片（DRAM），歷年來已在各國提出申請，獲得多項專利。美光公
司侵害本公司專利權，已使其對外宣稱本公司無記憶體晶片之相關技術，而須
竊取其營業秘密的指控，不攻自破。
